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803.三次元フラッシュエモリー


 今年度の全国発明表彰で最優秀の恩賜発明賞に、東芝の技術者らによる「超高密度三次元フラッシュエモリー」の発明が選ばれた。スマートフォンやデジタルカメラ、コンピューターといったデジタル機器で、写真やデータを保存するのに欠かせない半導体が「フラッシュエモリー」である。限界が近づいていた大容量化を、半導体を縦に重ねる三次元化により突破した技術である。製造工程も簡略化して現在世界2位のシェアをもつ。1987年に東芝が世界で初めて開発したNAND型フラッシュエモリーは、小さな素子に電子を出し入れして情報を記録する。半導体を縦に重ねて三次元化すればいいことは以前からわかっていたが、工程が多くなって高価になりすぎるのだった。新たに発想した方法は、半導体の元になる電極をまず何層も重ねてから縦穴をあけて素子を一気に作るものだったが、実用化への難題が多かった。構想から11年後の2016年ついに製品出荷ができるようになった。このとき48層だったメモリーは最新型では96層になった。消費電力や発熱量も小さく今後も需要は拡大が予測されている。私はちっぽけなSDカードにものすごい量のデータが入ってしまうことに本当に驚く。